차세대 반도체는 ‘P램’

차세대 반도체로 'P램'이 떠오르고 있다.

특허청은 차세대 반도체 미국 내 특허를 조사한 결과'F램', 'M램'의 특허는 2003년을 기준으로 급격히 감소하는 반면 'P램'은 꾸준한 출원에 이어 실용화에 필요한 기술들이 등록되고 있어 가장 먼저 시장 주도권을 잡을 것으로 전망된다고 10일 밝혔다.

또 특허출원되는 기술내용도 원천기술 개발 후 제품개발 단계에서 출원되는 칩 구동회로 기술 등 제품화 관련 기술이 38%에 달하는 등 P램의 실용화가 빠른 속도로 진행 중이다.

차세대 반도체는 기존 D램과 플래시메모리의 뒤를 이을 신 개념의 반도체 소자로 'F램(Ferroelectric Random Access Memory)', 'M램(Magnetic RAM)', 'P램(Phase Change RAM)'을 말한다.

이들 차세대 반도체는 D램이 가진 고속.고집적도와 플래시 메모리의 비휘발성 장점을 모두 갖춰 앞으로 모든 종류의 반도체를 대체할 수 있을 것으로 예상, 기업마다 시장선점을 위해 치열한 쟁탈전을 벌이고 있다.

우리나라 기업의 차세대 반도체 특허현황은 하이닉스가 미국 내 특허등록 2위를 차지하는 등 F램에서 강세를 보이는 반면 P램이나 M램은 거의 없으나 삼성전자가 최근 미국 P램 분야 특허 2위 업체인 오보닉스사와 특허협정을 체결, 앞으로 기술개발 및 시장동향 등이 주목받고 있다.

조성민 기자 [e-mail] (대전=연합뉴스)