삼성전자, 세계최소형 80나노 1기가 D램 양산

삼성전자가 세계 최소형 1기가 D램 양산에 들어간다.

삼성전자는 업계 최초로 80나노(1나노는 10억분의1m) 공정을 적용한 1기가비트 DDR2 D램을 본격 양산한다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 2004년에 90나노 1기가 D램을, 올 3월부터는 80나노 512메가 D램의 양산을 각각 개시한 바 있다.

80나노 1기가 D램은 90나노 1기가 D램의 절반 크기(11×11.5㎜)인 세계 최소형 1기가 D램 제품으로, 특히 1기가 D램에 80나노 공정을 적용하면 90나노 공정에 비해 생산성이 50% 정도 향상돼 원가 경쟁력을 대폭 강화할 수 있다고 삼성전자는 설명했다.

또 기존 90나노 1기가 D램으로 4기가바이트 메모리 모듈과 같은 대용량 모듈을 만들기 위해서는 D램 단품 2개를 쌓아 모듈에 탑재해야 하는 등 공정이 비교적 복잡한 단점이 있는 반면 80나노 1기가 D램은 모듈 위에 단순히 2열로 배치할 수 있게 됨으로써 공정이 단순해지고 제조비용도 대폭 절감할 수 있다고 삼성전자는 덧붙였다.

삼성전자 관계자는 "1기가 D램에 업계 최초로 80나노 공정 적용을 시작함으로써 향후 대용량 D램 시장 주도권을 계속 유지해 나갈 것으로 전망된다"고 말했다.

한편 시장조사기관 데이터퀘스트에 따르면 세계 D램 시장규모는 올해 287억달러에서 2008년 378억달러로 연평균 14%의 고성장이 예상되며, 이 가운데 1기가 D램이 차지하는 비중도 올해 8% 수준에서 2008년에는 36%로 높아지면서 D램 시장의 주력제품으로 부상할 전망이다.

김인철 기자 [e-mail] (서울=연합뉴스)