삼성전자는 29일 80나노 공정을 이용한 1기가비트 더블데이터레이트(DDR)2 디램을 양산한다고 밝혔다. 1나노는 10억분의 1m로, 머리카락 굵기의 10만분의 1 크기다. 디디아르2는 1세대 디디아르보다 속도가 갑절 이상 빠르면서도 전력소비량은 낮은 고성능 메모리 칩이다. 삼성전자는 지난 2004년부터 90나노 1기가 디램을, 올 3월부터 80나노 512메가 디램을 각각 양산해왔다.
80나노 1기가 디램은 90나노 1기가 디램의 절반 크기(11×11.5㎜)인 세계 최소형 제품으로, 기존 공정에 비해 생산성을 50% 정도 끌어올려 원가 경쟁력을 크게 강화할 수 있다고 삼성전자는 설명했다. 시장조사기관인 데이터퀘스트의 전망을 보면, 세계 디램 시장은 올해 287억달러에서 2008년 378억달러로 연평균 14%씩 성장할 것으로 예상되고 있다. 1기가 디램이 차지하는 비중도 올해 8% 수준에서 2008년에는 36%로 높아지면서 디램 시장의 주력 제품으로 떠오를 전망이다.
홍대선 기자 hongds@hani.co.kr
**제품 사진있음. 포토방 전송
항상 시민과 함께하겠습니다. 한겨레 구독신청 하기