하이닉스, 올해 투자 3조500억으로 늘려

하이닉스반도체가 올해 투자 규모를 예정보다 7500억원 더 늘리기로 했다.

하이닉스는 올해 투자 규모를 종전의 2조3000억원에서 3조500억원으로 7500억원 늘리는 방향으로 경영계획을 수정했다고 31일 밝혔다. 애초 계획보다 32.6% 늘어난 것으로, 지난해 투자액(1조원)의 3배 규모다.

하이닉스가 투자 확대에 나선 데는 최근 들어 고부가가치 반도체 제품의 수요가 크게 늘어나는 등 반도체 업황 전반의 호조세가 이어지고 있는 영향이 컸다. 하이닉스 쪽은 “견조한 수요를 바탕으로 최근의 메모리 반도체 시장이 크게 변하고 있다”며 “서버와 그래픽, 모바일 기기 등 고부가가치 제품에 대한 시장의 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것”이라고 배경을 설명했다. 연구·개발(R&D) 투자를 통한 기술경쟁력 강화 목표도 투자를 늘린 이유다.

우선 하이닉스는 올해 40나노급 디(D)램 공정전환의 속도를 높여 현재 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 올해 말까지 50% 수준으로 끌어올릴 계획이다. 40나노급 디(D)램은 50나노급에 견줘 생산성이 50% 이상 높아 원가 경쟁력이 커질 것으로 하이닉스 쪽은 내다봤다.

이정연 기자 [e-mail]