삼성, 중국 시안에 반도체 2라인 기공식

V-낸드 수요 증가 대응 위해
성장·노영민 주중 대사 등 참가

삼성전자가 중국 시안의 반도체 공장에 두 번째 생산 라인을 짓는다. 낸드플래시 수요 증가에 대응하기 위해서다.

삼성전자는 28일 중국 산시성 시안에서 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식’을 열었다고 밝혔다. 삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 3년간 총 70억 달러(약7조8000억원)를 투자하기로 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 맺었다.

2기 라인은 내년에 완공돼 V-낸드를 생산할 예정이다. V-낸드는 메모리 반도체의 일종으로, 평면 낸드와 달리 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든다. 높은 집적도로 용량을 키울 수 있어, 데이터센터 등에 많이 쓰인다. 삼성전자 관계자는 “이번 투자로 낸드플래시 최대 수요처이자 세계 모바일, 정보통신 업체들의 생산기지가 집중된 중국에서 제조 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다”고 말했다.

삼성전자는 2014년부터 시안 공장에서 V-낸드를 양산해왔으나 가동률이 100%임에도 공급이 달리자 두 번째 라인 증설에 나섰다. 이날 기공식에는 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 김기남 삼성전자 반도체 부문장(사장) 등이 참석했다.

최현준 기자 [e-mail]