삼성전자, 1.4배 빨라진 5세대 V낸드 양산

3차원 셀 90단 이상 쌓아
슈퍼컴·서버용 고부가가치 메모리
경쟁사보다 최대 2년 기술격차 평가

5세대 256Gb V낸드.

삼성전자가 기존 4세대 V낸드보다 1.4배 빠른 ’5세대 256Gb V낸드’를 세계 최초로 본격 양산한다고 7일 밝혔다. 업계에서는 이번 양산으로 삼성전자가 에스케이(SK)하이닉스나 마이크론 등 경쟁사보다 6개월에서 많게는 2년 정도 기술격차를 벌렸다는 평가가 나온다.

5세대 V낸드는 3차원 CTF 셀을 90단 이상 쌓는 방식으로 만들어졌다. 이 제품은 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 가장 윗단에서 아랫단까지 수직으로 수백 나노미터의 미세한 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 ‘3차원(원통형) CTF 셀(CELL)’을 850억개 이상 형성하는 기술이 적용됐다. 특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 기술을 개발해, 4세대 제품보다 생산성이 30% 이상 높아졌다. 차세대 낸드 인터페이스 규격을 적용해 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드보다 1.4배 빠르다.

삼성전자는 5세대 V낸드의 성능과 생산성을 극대화하기 위해 독자 개발한 3대 혁신기술을 적용했다. 기존 4세대 V낸드와 동일한 소비 전력량을 구현한 ‘초고속·저전압 동작 회로’ 기술과 대용량 저장과 모바일 기기를 위한 ‘고속 쓰기·최단 읽기 응답 대기시간 회로’ 기술, 셀 동작의 정확성을 높이고 판독 범위를 넓힌 ‘텅스텐 원자층 박막 공정’ 기술이다.

경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장(부사장)은 “5세대 V낸드 적기에 개발해 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다”며 “향후 1Tb(테라비트)와 큐엘시(QLC·Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 가속화할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 5세대 V낸드의 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 지속적으로 주도해 나갈 계획이다.

최현준 기자 [e-mail]