SK하이닉스 2세대 10나노급 D램 개발

작년 11월 삼성전자 양산 이어
내년 1분기부터 공급 예정

SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램. SK하이닉스 제공.

에스케이(SK)하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트급 디디아르4디램(DDR4 D램) 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

1세대(1x) 제품보다 생산성은 약 20%, 전력소비는 15% 향상시킨 이 제품은 DDR4 규격이 지원하는 최대 속도인 3200Mbps의 데이터 전송속도를 안정적으로 구현할 수 있다. 경쟁사인 삼성전자는 지난해 11월 같은 제품의 양산에 들어갔고, 올 7월부터는 16기가 디램을 양산하고 있다.

에스케이하이닉스는 데이터 전송속도를 높이기 위해 데이터 전송 때 주고받는 신호를 기존 대비 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 ‘4페이즈 클로킹’ 설계기술과 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추는 ‘센스 앰프’ 기술을 적용했다고 밝혔다.

에스케이하이닉스는 개인용컴퓨터(PC)와 서버시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에서 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다. 김석 디램마케팅 담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품”이라며 “내년 1분기부터 공급에 나서 시장수요에 적극적으로 대응할 것”이라고 말했다.

최현준 기자 [e-mail]