삼성전자, 1.4배 단수 높인 6세대 3비트 V낸드 양산

삼성전자가 5세대 모델보다 1.4배 단수가 많은 256Gb(기가비트) 3비트 브이(V)낸드 기반 기업용 컴퓨터 에스에스디(SSD·솔리드스테이드드라이브)를 양산했다고 6일 밝혔다. 브이낸드는 단을 높이 쌓을수록 저장용량이 커지는데 삼성전자는 이번에 90여개 단을 136개까지 올렸다.

6세대 3비트 브이낸드는 5세대보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다. 데이터 쓰기 시간도 450㎲(나노초) 이하, 읽기 응답 대기시간 45㎲ 이하로 역대 최단 시간을 달성했다. 피라미드 모양으로 쌓은 100단 이상의 셀을 한 번에 수직으로 뚫어 적층 단수가 높아질수록 층간 절연이 흐트러지는 문제를 해결했다. 이 기술을 적용해 6세대 브이낸드를 세 번만 쌓아도 300단 이상 초고적층 차세대 브이낸드를 만들 수 있다고 삼성전자는 설명했다. 전자 이동 통로인 ‘채널 홀’은 6.7억개 미만이어서 약 9.3억개 채널 홀을 가진 5세대 모델보다 공정 생산성이 향상됐다. 삼성전자는 올 하반기 512Gb 3비트 브이낸드 기반 에스에스디와 이유에프에스(eUFS)를 출시할 계획이다.

경계현 삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장 부사장은 “초고난도 3차원 메모리 양산 기술을 확보해 속도와 전력효율을 더욱 높인 메모리 라인업을 적기에 출시했다”며 “차세대 라인업 개발 일정을 앞당겨 초고속 초고용량 SSD시장을 빠르게 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 2020년부터 평택 브이낸드 전용 라인에서 6세대 브이낸드 기반 에스에스디 라인업을 확대할 예정이다. 6세대 브이낸드 에스에스디를 기반으로 글로벌 모바일 시장과 자동차 시장을 선점하고 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화도 주도할 계획이라고 삼성전자는 밝혔다.

신다은 기자 [e-mail]