극자외선 공정으로 14나노 차세대 디램 대량생산

삼성전자, 지난해 해당 공정 첫제품 공급…이전세대보다 20% 생산성 개선

삼성전자의 업계 최선단 14나노 디디아르(DDR)5 디(D)램. 삼성전자 제공

삼성전자가 극자외선(EUV·Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 디(D)램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

앞서 삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 극자외선 공정을 적용한 디램(10나노대 1세대) 모듈을 고객사들에 공급한 바 있다. 이번엔 업계에서 유일하게 극자외선 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 디램(10나노대 4세대)을 만든 것이다. 극자외선 노광 기술을 적용하면 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있어 디램의 성능과 수율을 향상시킬 수 있다.

5개의 레이어에 극자외선 공정이 적용된 삼성전자의 14나노 디램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로, 이전 세대 대비 약 20% 생산성이 향상됐다는 게 회사 쪽 설명이다. 소비전력도 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 디디아르(DDR)5 디램에 가장 먼저 적용한다. 디디아르5는 최고 7.2Gbps의 속도로 디디아르4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 디램 규격이다. 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터 이용 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 디이아르5에 대한 수요가 지속적으로 커지고 있다. 삼성전자는 향후 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb 디램까지 양산할 계획이다.

한편, 시장조사기관 옴디아의 집계를 보면 삼성전자의 올해 2분기 디램 시장 점유율은 43.2%로 톱3 기업(삼성전자·SK하이닉스·마이크론) 가운데 유일하게 1분기(41.2%) 대비 점유율이 상승하는 등 굳건한 1위 자리를 유지했다.

선담은 기자 [e-mail]