에스케이(SK)하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 디(D)램. 에스케이하이닉스
에스케이(SK)하이닉스가 업계 최고 사양의 초고속 디(D)램인 ‘HBM3’(4세대)를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 디램을 수직으로 연결해 기존 디램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다.
이번 제품은 지금까지 나온 HBM 디램 가운데 최고 속도와 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다는 게 회사 쪽 설명이다. HBM3는 초당 819기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능해 풀에이치디(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 내려받을 수 있다. 지난해 7월 에스케이하이닉스가 양산을 시작한 HBM2E(3세대)와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.
오류정정코드가 내장된 것도 이 제품의 특징이다. HBM3는 이 코드를 통해 디램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성이 크게 높아졌다.
용량은 16기가바이트와 업계 최대 용량인 24기가바이트 두 가지로 출시될 예정이다. 에스케이하이닉스는 24기가바이트 제품을 구현하기 위해 단품 디램 칩을 A4 용지 한 장의 3분의 1 두께 수준인 약 30마이크로미터(μm) 높이로 갈아낸 뒤 이 칩 12개를 티에스브이(TSV·Through Silicon Via) 기술로 수직 연결했다.
HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재될 예정이며, 인공지능(AI) 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.
선담은 기자
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