삼성전자 3나노 공정 반도체 제품 첫 출하

경계현 삼성전자 대표이사(왼쪽부터)와 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장 등이 25일 삼성전자 경기도 화성캠퍼스에서 열린 3나노 제품 양산 출하식에 참석해 기념촬영을 하고 있다. 삼성전자 제공

삼성전자가 세계 최초로 개발한 게이트 올 어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 파운드리 공정으로 생산한 반도체 제품을 첫 출하했다. 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 브이원(V1) 라인에서 열린 3나노 공정 반도체 제품 출하식에는 경계현 삼성전자 대표이사 겸 디에스(DS)부문장(사장)과 이창양 산업통상자원부 장관 등 100여명이 참석했다.

앞서 삼성전자는 지난달 말 새 공정 개발을 발표하면서 “기존 5나노 핀펫 공정보다 전력 소모는 45% 줄고, 성능은 23% 향상되며, 면적은 16% 축소된다”고 설명했다. 경계현 대표는 이날 출하식에서 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 게이트 올어라운드(GAA) 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 평가했다.

이창양 장관은 축사에서 “이번 양산 성과는 티에스엠시(TSMC)와 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 처음 달성한 것으로, 기존 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 지에이에이(GAA) 구조를 활용했다는 점에서 의의가 높다”며 “국내 소부장(소재·부품·장비) 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면, 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과”라고 말했다. 그는 이어 “3나노 공정이 높은 수율(결함이 없는 합격품의 비율)을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다. 정부도 최근 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 약속했다.

반면 삼성전자가 3나노 공정 반도체 제품 사업을 안착시키려면 해결해야 할 과제도 많다. <닛케이아시아>는 최근 “3나노 공정 제품 고객이 중국의 가상화폐 채굴업자 등이라며 새 고객을 찾아야 한다”고 지적했다. 지난달 말 삼성전자가 새 공정 개발에 성공했다고 발표했을 때도 국내 전문가들 쪽에서는 “높지 않은 수율과 이에 따른 고객 확보의 어려움 등이 걱정”이란 분석이 제기된 바 있다.

이정훈 기자 [e-mail], 김영배 선임기자 [e-mail]