삼성전자 세계 최초 10나노 2세대 디램 양산

지난해 1세대 양산 21개월만에 또 기술혁신
생산성 30%·속도 10% 향상…전력 15% 감소

삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산에 돌입했다고 20일 밝혔다. 10나노급 1세대 양산을 시작한지 21개월 만에 또 한번 기술혁신을 이룬 것이다.

삼성전자는 이날 “세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노는 10억분의 1ｍ) 8기가비트 DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다”며 “역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복한 것"이라고 밝혔다. 미세공정은 고도화될수록 회로 폭이 좁아지고 공정상 어려움이 많아 성능과 효율을 높이기가 쉽지 않다. 삼성전자는 지난해 2월 10나노급 1세대 D램을 양산한데 이어, 21개월만에 생산성과 속도, 전력소비량 등이 향상된 2세대 제품 양산에 성공했다. 업계에서는 삼성전자가 경쟁사 대비 2년 안팎의 기술 격차를 유지해 ‘반도체 슈퍼호황기’에 글로벌 시장 선두를 굳힐 수 있을 것이라는 평가가 나온다.

2세대 10나노 D램은 1세대 10나노 D램보다 생산성을 30% 가량 높일 수 있다. 또 속도는 10% 빠른 대신 소비전력은 15% 줄어든다. 삼성전자는 “차세대 극자외선(EUV) 노광장비(웨이퍼에 회로를 그려넣는 장비)를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다”고 자평했다. 또 이번에 개발한 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다고 평했다.

삼성전자는 전체 D램의 약 60%를 20나노대 공정, 40%를 1세대 10나노대 공정에서 생산하고 있다. 삼성전자는 2세대 10나노 D램의 본격 양산과 함께 20나노대 공정 비중을 대폭 낮출 계획이다. 진교영 메모리사업부 사장은 ”향후 2세대 나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 강화할 것"이라고 말했다.

최현준 기자 [e-mail]