삼성전자, 화성캠퍼스에 미세공정 반도체 생산라인 기공

6조원 투자…2020년 본격 가동 예정
“7나노 이하 미세공정 시장 주도 계획”

23일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 ‘화성 EUV라인 기공식’ 참석자들이 기념사진을 찍고 있다. 왼쪽서 일곱번째부터 황성태 화성시 부시장, 김기남 삼성전자 DS부문장, 권칠승 국회의원. 삼성전자 제공

삼성전자는 23일 경기도 화성 반도체공장에서 차세대 첨단 미세공정(EUV·극자외선) 방식을 채택한 생산라인 기공식을 가졌다. 건설비를 포함해 6조5천억원을 들여 짓는 새 생산라인은 2019년 하반기 완공된 뒤 시험생산 절차 등을 거쳐 2020년부터 본격 가동될 예정이다. 앞서 삼성전자는 지난해 화성캠퍼스에 극자외선 미세공정 생산라인을 건립하겠다고 발표했다.

이 생산라인은 미세공정의 한계를 극복하는데 꼭 필요한 것으로 평가되는 극자외선 노광장비가 처음으로 도입되는 게 특징이다. 노광장비는 반도체 재료인 웨이퍼에 빛을 쏴 반도체 회로를 형성시키는 설비다. 삼성전자는 극자외선 생산라인을 통해 반도체 미세공정에서 후발 업체들과의 격차를 이어갈 계획이다.

반도체는 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현하는 방식으로 성능과 전력 효율이 향상돼왔다. 하지만 최근 한 자릿수 나노 단위까지 미세화가 진행되면서 미세공정 기술이 한계에 도달한 것으로 평가되고 있는데, 극자외선 기술이 이를 극복할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 이에 인텔과 티에스엠시(TSMC) 등도 이 장비를 앞다퉈 도입하고 있다.

삼성전자는 “극자외선 노광장비는 기존 불화 아르곤(ArF) 광원을 파장이 짧은 극자외선으로 대체해 더 세밀한 회로를 구현할 수 있게 한다”며 “모바일·서버·네트워크·수퍼컴퓨터 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 대응하고, 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

김재섭 기자 [e-mail]

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