삼성전자가 1초만에 30GB(기가바이트) 용량 영화 두 편을 내려받을 수 있는 성능의 디디아르(DDR)5 메모리 모듈을 개발했다.
삼성전자는 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트’(HKMG·High-K Metal Gate) 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB 디디아르5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. ‘하이케이 메탈 게이트’는 반도체 공정이 미세화될수록 늘어나는 누설전류를 효과적으로 줄일 수 있는 공정 기술이다. 이를 통해 제품의 소비전력을 줄이면서 집적도를 높일 수 있다. 삼성전자는 이 기술이 적용된 디디아르5 메모리 모듈이 기존 공정에 비해 전력 소모가 약 13% 감소했고 성능은 기존 디디아르4의 2배 이상을 보였다고 설명했다.
또한 이번 디디아르5 512GB 모듈에는 디(D)램 제품으로는 처음으로 8단 ‘실리콘관통전극’(TSV) 기술을 적용했다. 실리콘관통전극은 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다. 이 기술을 이용하면 한정된 크기의 모듈에 여러 개의 칩을 쌓아 고용량을 구현할 수 있다.
송채경화 기자 khsong@hani.co.kr