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미래&과학 과학

국내 연구진 ‘나노 기억장치’ 잇단 신기술

등록 2008-06-16 02:14

이우·김광수 교수팀 ‘네이처 나노테크놀로지’에 논문 발표
 국내 연구팀이 차세대 기억장치를 더 작게 고집적화하는 데 기여할 만한 연구 성과들을 저명한 국제학술지에 잇따라 발표했다.

 한국표준과학연구원 이우 박사, 포스텍 총장 백성기 교수와 독일 막스플랑크연구소가 참여한 한국·독일 공동연구팀은 강유전체 물질의 나노점을 기판에 정렬해 초고밀의 ‘에프(F)램’을 실험실 수준에서 구현하는 데 성공해 국제학술지 <네이처 나노테크놀로지> 15일치 온라인판에 발표했다. 나노 점이란 기판에 정렬된 나노미터(10억분의 1m) 단위의 물질로서, 이번 연구에선 최소 단위의 정보를 저장하는 저장체로 활용됐다. 에프램은 차세대 비휘발성 메모리로 관심을 모아왔으나 이를 소형화하는 데 어려움이 컸다.

 이 박사는 “소자에 쓴 납 성분을 다른 안전한 물질로 대체하는 후속 연구가 필요하지만 에프램을 실제 구현해 실용화 가능성을 제시했다는 데 의미가 크다”고 말했다.

포스텍 김광수 교수 연구팀도 차세대 나노 전자소자의 자기저항 효율을 높여 기억장치의 집적도를 1만배나 높일 수 있는 기술을 개발해 같은 학술지 온라인판에 발표했다. 소자의 자기저항 효율이 높을수록 기억소자의 정보를 쉽게 인식할 수 있어 그만큼 기억소자의 집적도를 높일 수 있다. 이번 연구성과는 미래의 대용량 기억장치를 소형화하는 데 도움을 줄 것으로 연구팀은 기대했다.

 오철우 기자 cheolwoo@hani.co.kr

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