‘풀브라이트’ 장학금 200억 조성도…첨단분야 석·박사 지원

미국을 국빈 방문한 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 26일(현지시간) 워싱턴DC 백악관 로즈가든에서 열린 공동 기자회견에서 악수하고 있다. 연합뉴스

한·미 양국이 한·미동맹 70주년을 계기로 첨단산업과 과학기술 분야 청년 인재 교류에 모두 6000만달러(약 800억원)를 공동 투자한다.

교육부는 27일 한·미 정상이 두 나라의 이공계 인재 2023명을 각각 선정해 교류할 수 있도록 3000만달러(약 400억원)씩 모두 6000만달러를 공동 투자한다는 내용의 ‘한·미 이공계 청년 특별교류 이니셔티브’에 합의했다고 밝혔다. 이번 특별교류 계획은 반도체·배터리·바이오·인공지능(AI) 등 과학·기술·공학·수학(STEM) 분야에 초점을 맞춰 크게 두 가지 방식으로 이뤄진다. 먼저 한·미는 1500만달러(약 200억원) 규모의 ‘풀브라이트 첨단분야 장학 프로그램’(Fulbright STEM Scholars Exchange Program)을 신설해, 양국의 첨단분야 석·박사 학위와 연구 과정을 지원한다. 한국의 대학생과 대학원생 100명은 미국의 첨단분야 석·박사 학위과정 이수를, 미국의 연구자 100명은 한국 대학에서 첨단분야 연구를 지원받는다. 풀브라이트 장학 프로그램은 미국이 학업, 연구, 전문성 교류 등을 목적으로 세계 160여 개국에서 운영하는 장학 프로그램이다.

이공계 대학생 특별교류 프로그램도 추진한다. 첨단산업에 종사하거나 연구하고자 하는 청년을 대상으로 대학에서 6개월∼1년 동안 지식을 쌓은 뒤 현장 견학을 할 수 있도록 하는 방식이다. 한국이 강점을 지니고 교류 기회를 제공할 수 있는 분야로는 반도체 공정과 배터리, 디스플레이 등의 분야가, 미국은 반도체 설계와 양자, 우주 분야가 언급됐다.

김민제 기자 [e-mail]